摘要:
采用氧化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN 二极管芯片,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的功率开关,在1~3 GHz 频带内插入损耗小于0.5 dB,可通过CW 功率60 W,隔离度大于45 dB,尺寸为8 mm × 8 mm,解决了射频大功率开关量产困难的问题,在我国的TD-SCDMA移动通信网中得到了广泛应用。
黄贞松,杨磊. 一种用于TDD通信模式的大功率射频开关[J]. 电信科学, 2010, 26(4): 81-84.
Zhensong Huang,Lei Yang. A High Power RF Switch for TDD Communication Mode[J]. Telecommunications Science, 2010, 26(4): 81-84.