LTE系统中的功率控制技术

doi:10.3969/j.issn.1000-0801.2009.10.016

电信科学 ›› 2009, Vol. 25 ›› Issue (10): 71-75.doi: 10.3969/j.issn.1000-0801.2009.10.016

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LTE系统中的功率控制技术

龙紫薇,邓伟,杨光

中国移动通信集团公司研究院北京 100053

出版日期:2009-10-15 发布日期:2009-10-15

Online:2009-10-15 Published:2009-10-15

摘要/Abstract

摘要：

3G系统采用CDMA多址方式，小区内/小区间的用户使用相同的频率资源，同频干扰较大，而LTE系统采用OFDMA多址方式，小区内的不同用户占用不同的频率资源，小区间一般占用相同的频率资源，小区内用户间同频干扰相对减弱，因此，在主要用于解决干扰问题的功率控制技术方面， LTE系统比3G系统有较大简化。本文重点介绍LTE系统的功率控制技术，在介绍之前，首先分析了LTE系统的干扰情况，随后对现有系统中的通用功率控制技术进行探讨，从而引出LTE系统的功率控制方案。

关键词: LTE, OFDM, 上行功控, 干扰

龙紫薇,邓伟,杨光. LTE系统中的功率控制技术[J]. 电信科学, 2009, 25(10): 71-75.

PUCCH format（F）	Δ_{F_PUCCH}（F）（dB）
1	［-2,0,2］
1b	［1,3,5］
2	［-2,0,1,2］
2a	［-2,0,2］
2b	［-2,0,2］

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